A Vishay Intertechnology bemutatta új negyedik generációs N-csatornás MOSFET- jét, SiHH068N650E néven. Ez a 600 V E sorozatú Mosfet nagyon alacsony Drain forrás ON ellenállással rendelkezik, így ez az iparág legalacsonyabb kapu töltési idejű ellenállású készüléke, ez biztosítja a MOSFET nagy hatékonyságát, amely alkalmas telekommunikációs, ipari és vállalati áramellátási alkalmazásokhoz.
A SiHH068N60E alacsony tipikus bekapcsolási ellenállással (0,059 Ω 10 V-nál) és rendkívül alacsony kaputöltéssel rendelkezik 53 nC-ig. Az eszköz 3,1 Ω * nC FOM-ját a kapcsolási teljesítmény javítására használják, a SiHH068N60E alacsony effektív kimeneti kapacitásokat (C o (er) és C o (tr) 94 pf, illetve 591 pF. Ezek az értékek csökkentett vezetési és kapcsolási veszteségeket jelentenek az energiatakarékosság érdekében.
A SiHH068N60E legfontosabb jellemzői:
- N-csatornás MOSFET
- Leeresztő forrás feszültsége (V DS): 600 V
- Kapuforrás feszültsége (V GS): 30V
- Kapu küszöbfeszültség (V gth): 3V
- Maximális leeresztő áram: 34A
- Leeresztő forrás ellenállása (R DS): 0,068Ω
- Qg 10 V-on: 53nC
A MOSFET egy PowerPAK 8 × 8 csomagban kerül forgalomba, amely RoHS-kompatibilis, halogénmentes és úgy van kialakítva, hogy ellenálljon a túlfeszültség-tranzienseknek lavina módban. A SiHH068N60E mintái és gyártási mennyisége már elérhető, 10 hét átfutási idővel. További információkért látogasson el a weboldalukra.