A tranzisztor feltalálása forradalmasította az elektronikai iparágat, ezeket a szerény eszközöket szinte minden elektronikai eszközben széles körben használják kapcsoló alkatrészként. Tranzisztort és nagy teljesítményű memória technológiát, például RAM-ot használnak egy számítógépes chipben az információk feldolgozásához és tárolásához. De a mai napig nem lehet őket kombinálni vagy egymáshoz közelebb elhelyezni, mivel a memóriaegységek ferroelektromos anyagból, a tranzisztorok pedig szilíciumból, félvezető anyagból készülnek.
A Purdue Egyetem mérnökei kifejlesztettek egy módszert arra, hogy a tranzisztorokat információkat tárolják. Ezt úgy érték el, hogy megoldották a tranzisztor és a ferroelektromos RAM kombinálásának problémáját. Ez a kombináció korábban nem volt lehetséges a szilícium és a ferroelektromos anyagok interfészénél felmerülő problémák miatt, ezért a RAM mindig külön egységként működik, ami korlátozza a számítástechnika sokkal hatékonyabbá tételének lehetőségét.
Peide Ye, Richard J. és Mary Jo Schwartz, a Purdue villamosmérnöki és számítástechnikai professzora által vezetett csapat legyőzte a problémát egy ferroelektromos tulajdonságú félvezető használatával, így mindkét eszköz ferroelektromos jellegű, és könnyen együtt használhatók.. Az új félvezető eszközt ferroelektromos félvezető mező hatású tranzisztornak hívták .
Az új tranzisztort az „Alpha Indium Selenide” nevű anyagból készítették, amely nemcsak ferroelektromos tulajdonsággal rendelkezik, hanem a széles sávszélesség miatt szigetelőként működő ferroelektromos anyagok egyik nagy kérdésével is foglalkozik. De a különbség az, hogy az alfa-indium-szelenidnek kisebb a sávszélessége, mint más ferroelektromos anyagokkal, ami lehetővé teszi, hogy félvezetőként működjön anélkül, hogy elveszítené ferroelektromos tulajdonságait. Ezek a tranzisztorok hasonló teljesítményt mutattak, mint a meglévő ferroelektromos terepi tranzisztorok.