A Diodes Incorporated ma elindította a Half Bridge és a High-Side / Low-side topology Gate meghajtót SO-8 csomagban. Ezek a kapu meghajtók a konverterek, inverterek, motorvezérlő és D osztályú erősítő alkalmazások nagyfeszültségű, nagysebességű alkalmazásaira összpontosítanak. Ezek az eszközök elágazással elkülönített szinteltolásos technológiát kínálnak egy lebegő csatornás, magas oldalsó meghajtó létrehozására, amely 200 V-ig működő bootstrap topológiában használható. Ezenkívül képes kétcsatornás MOSFET-eket félhíd konfigurációban meghajtani. Ezen kívül minden eszköz szabványos TTL / CMOS logikai bemeneteket tartalmaz Schmitt kiváltásával, és 3,3 V-ig működik.
A három DGD2003S8, DGD2005S8 és DGD2012S8 100 V-ig terjedő motoros meghajtó alkalmazásokra lesz alkalmas. A készülék kiválóan alkalmas a 200 V-on működő áramátalakító és inverziós alkalmazások egyidejű támogatására. Ezeknek az eszközöknek a kimenetei képesek lesznek ellenállni a negatív tranzienseknek, és tartalmazzák az alacsony feszültségű reteszelést a magas és az alacsony oldali meghajtók számára. Ez a funkció alkalmassá teszi számos fogyasztói és ipari tervezésű alkalmazásra, beleértve az elektromos szerszámokat, a robotikát, a kis járműveket és a drónokat.
A teljes energiahatékonyság fenntartása mellett a funkció magában foglalja a DGD2003S8, illetve a DGD2005S8, illetve a DGD2005S8, illetve az 1.9A, illetve a 2.3A a DGD2012S8 forrás- és süllyesztőáramát. A DGD2005S8 maximális terjedési ideje 30ns a magas és az alacsony oldal közötti váltáskor, míg a DGD2003S8 rögzített belső holtideje 420ns. A hőmérséklet-tartomány működése -40 0 C és +125 0 C között van.
A DGD2003S8, DGD2005S8 és DGD2012S8 az SO-8 csomagokban érhető el.