A Toshiba új generációs, 650 V-os tápellátású MOSFET-sorozatokat jelentett be, amelyeket az adatközpontok szerver-tápegységeiben, a napelemes (PV) klímaberendezésekben, a szünetmentes áramellátó rendszerekben (UPS) és más ipari alkalmazásokban kívánnak felhasználni.
Az első tápellátású MOSFET a DTMOS VI sorozatban a 650 V-os TK040N65Z, amely támogatja a folyamatos leeresztő áramokat (I D) 57A-ig és 228A-ig impulzusig (I DP). Az áramellátási alkalmazások veszteségeinek csökkentése érdekében rendkívül alacsony lefolyású forrás-ellenállású R DS (ON) értéket biztosít 0,04Ω (0,033Ω tipikus), így a modern nagysebességű tápegységekben való alkalmazásra alkalmas a csökkentett kapacitás a tervezésben.
A kulcsfontosságú teljesítménymutató / érdemjegy (FoM) - R DS (ON) x Q gd - csökkenése javítja az alkalmazások energiahatékonyságát. A TK040N65Z 40% -os javulást mutat ebben a fontos mérőszámban az előző DTMOS IV-H eszközhöz képest, ami az áramellátás hatékonyságának jelentős növekedését mutatja 0,36% tartományban - 2,5 kW-os PFC áramkörben mérve.
Alkalmazások
- Dátumközpontok (szerver tápegységek stb.)
- Elektromos klímaberendezések fotovoltaikus generátorokhoz
- Szünetmentes áramellátó rendszerek
Jellemzők
- Az alacsonyabb R DS (ON) × Q gd lehetővé teszi a kapcsoló tápegységeket a hatékonyság növelése érdekében
Fő specifikációk (@T a = 25 ℃)
|
Cikkszám |
TK040N65Z |
|
|
Csomag |
TO-247 |
|
|
Abszolút maximális értékelés |
Vízelvezető forrás feszültsége V DSS (V) |
650 |
|
Leeresztő áram (DC) I D (A) |
57 |
|
|
Lefolyóforrás bekapcsolási ellenállása R DS (ON) max @ V GS = 10V (Ω) |
0,040 |
|
|
Teljes kaputöltés Q g tip. (nC) |
105 |
|
|
Kapu-lefolyó töltés Q gd tip. (nC) |
27. |
|
|
C bemeneti kapacitás iss tip. (pF) |
6250 |
|
|
Előző sorozat (DTMOS Ⅳ-H) cikkszám |
TK62N60X |
A TK040N65Z ipari szabványú TO-247 csomagban kapható, amely biztosítja a kompatibilitást a régi mintákkal, valamint az új projektekhez való alkalmasságot. Ma belép a tömegtermelésbe, és a szállítás azonnal megkezdődik.